Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Gnilenko A$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6

      
Категорія:    
1.

Gnilenko A. B. 
Microstrip discontinuity analysis usingfinite-difference time-domain method / A. B. Gnilenko, O. V. Paliy // Радіоелектроніка. Інформатика. Управління. - 2003. - № 2. - С. 6-9. - Библиогр.: 8 назв. - англ.

Проведено аналіз відкритого кінця та розриву мікросмужкової лінії за допомогою методу скінченних різниць у часовій області з поглинальними умовами Мура першого порядку. На підставі дискретизації рівнянь Максвела побудовано обчислювальні алгоритми для моделювання дифракції гаусового імпульсу на неоднорідностях. Одержано якісні результати у часовій області, що ілюструють процеси дифракції. Порівняно дисперсійні характеристики елементів матриць розсіяння з іншими даними.


Індекс рубрикатора НБУВ: З841-01

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16683 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Gnilenko A. B. 
Mechanically stacked triple-junction GaInP/GaAs/Si solar cell simulation = Моделирование механически состыкованного трехкаскадного солнечного элемента GaInP/GaAs/Si / A. B. Gnilenko, S. V. Plaksin // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2013. - 5, 4 (ч. 2). - С. 04057(6)-04058. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.

При помощи программного пакета Silvaco TCAD проведено моделирование механически состыкованного трехкаскадного солнечного элемента GaInP/GaAs/Si и его сравнение с более традиционной конфигурацией GaInP/GaAs/Ge с механическим соединением каскадов. Рассчитана внешняя квантовая эффективность, вольтамперные характеристики, а также основные параметры солнечных элементов и на этом основании показаны преимущества использования кремния, а не германия в качестве материала активной подложки нижнего фотоэлемента.


Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Gnilenko A. B. 
Floating gate flash memory cell simulation = Моделювання комірки флеш-пам'яті з плаваючим затвором / A. B. Gnilenko // Систем. технології. - 2019. - № 1. - С. 81-88. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.

З використанням інструментів ТСАПР проведено комп'ютерне моделювання комірки флеш-пам'яті з керуючим затвором, який охоплює плаваючий затвор. Для даної комірки пам'яті моделювалися базові операції програмування і стирання. В результаті моделювання, для різних значень товщини шару тунельного оксиду і керуючої напруги, одержано вольтамперні та перехідні характеристики, що демонструють можливості розглянутої конструкції комірки пам'яті.


Індекс рубрикатора НБУВ: З973-045

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж69472 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
4.

Gnilenko A. B. 
Numerical analysis of aluminum nanoparticle influence on the characteristics of a thin-film solar cell / A. B. Gnilenko, S. V. Plaksin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2019. - 22, № 4. - С. 424-429. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.

The influence of parameters of an aluminum nanoparticle layer on the characteristics of a thin-film amorphous silicon solar cell has been studied using the computer simulation methods. A design with a regular arrangement of nanoparticles both on the front and back sides of the solar cell has been considered. The distribution of photogeneration rate in the amorphous silicon layer has been obtained for different values of the nanoparticle radius. The effects of nanoparticle radius and nanoparticle spacing on the electrical characteristics of a solar cell have been analyzed. It has been shown that, with optimal parameters of nanoparticles, it is possible to significantly increase the efficiency of solar cells.


Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8 + В371.21

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
5.

Gnilenko A. B. 
Numerical analysis of aluminum nanoparticle influence on the characteristics of a thin-film solar cell / A. B. Gnilenko, S. V. Plaksin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2019. - 22, № 4. - С. 424-429. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.

The influence of parameters of an aluminum nanoparticle layer on the characteristics of a thin-film amorphous silicon solar cell has been studied using the computer simulation methods. A design with a regular arrangement of nanoparticles both on the front and back sides of the solar cell has been considered. The distribution of photogeneration rate in the amorphous silicon layer has been obtained for different values of the nanoparticle radius. The effects of nanoparticle radius and nanoparticle spacing on the electrical characteristics of a solar cell have been analyzed. It has been shown that, with optimal parameters of nanoparticles, it is possible to significantly increase the efficiency of solar cells.


Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8 + В371.21

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
6.

Gnilenko A. B. 
Layout design of 4-bit ripple carry adder based on pass transistor logic = Топологічне проектування 4-бітного суматора з послідовним перенесенням на основі логіки на прохідних транзисторах / A. B. Gnilenko // Систем. технології. - 2020. - № 1. - С. 46-53. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.

Повний суматор є ключовим елементом арифметико-логічних пристроїв, що використовуються у мікропроцесорних системах. Для компонентів мікропроцесорів, які призначаються для сучасних мобільних цифрових пристроїв, велике значення має щільність компоновки на кристалі кремнію. У даній роботі запропоновано компактну топологію для 4-бітного суматора з послідовним перенесенням на основі логіки на прохідних транзисторах. Повний суматор моделюється за допомогою інструментів автоматизованого проектування, з одержанням часових діаграм вихідних сигналів, що демонструють функціональні можливості спроектованого пристрою. Показано, що використання логіки на прохідних транзисторах під час проектування топології 1-бітного повного суматора, який складається з двох логічних елементів XOR на трьох транзисторах і одного мультиплексора на двох транзисторах, надає змогу одержати компактний 4-бітний суматор з послідовним перенесенням і забезпечити прийнятні характеристики вихідних сигналів.


Індекс рубрикатора НБУВ: З973-047.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж69472 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського